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    看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術
    看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術

    碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應,給現有的加工技術帶來了巨大的挑戰,被視為典型難加工材料。高效率、高質量的碳化硅襯底加工技術成了當下的研究熱點。  碳化硅相較于第一、二代半導體材料具有更優良的熱學、電學性能,如寬禁帶、高導熱、高溫度穩定 性和低介電常數等,這些優勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料廣泛應用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片,碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質量對器件的使用性能有著極為重要的影響。因

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    SiC碳化硅應用領域有哪些?
    SiC碳化硅應用領域有哪些?

    碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類,無論是作為單晶還是陶瓷,碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關鍵材料之一。例如:單晶方面:碳化硅作為目前發展最成熟的第三代半導體材料,可謂是近年來最火熱的半導體材料。尤其是在“雙碳”戰略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節能減碳行業,萬眾矚目。陶瓷方面:碳化硅憑借其優異的高溫強度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導熱性、耐腐蝕性等性能,近年來隨著新能源汽車、半導體、光伏等行業的起飛而需求爆發,深深地滲入到這些新興領域的

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    半導體襯底和外延的區別是什么?
    半導體襯底和外延的區別是什么?

      在半導體產業鏈中,特別是第三代半導體(寬禁帶半導體)產業鏈中,會有襯底及外延層之分,那外延層的存在有何意義?和襯底的區別是什么呢?  在第三代半導體產業鏈,晶圓制備過程中存在兩個重要環節:①是襯底的制備,②是外延工藝的實施。這兩個環節的區別是怎樣的,存在的意義又有何不同?  襯底由半導體單晶材料精心打造的晶圓片,可以作為基礎直接投入晶圓制造的流程來生產半導體器件,或者進一步通過外延工藝來增強性能

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    CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨有影響嗎?
    CMP設備及耗材對半導體硅片拋磨有影響嗎?

    CMP設備及耗材對工藝效果影響嗎?答案是:有關鍵影響。CMP工藝離不開設備機臺及耗材,其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下:①設備參數:拋光時間、研磨盤轉速、拋光頭轉速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等;②研磨液參數:磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數等 ;③拋光墊參數:硬度、密度、空隙大小、彈性等;④CMP對象薄膜參數:種類、厚度、硬度、化學性質、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等,對 CMP 工藝效應均有關鍵影響。1. CMP 拋

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    碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?
    碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝?

      碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。  第三代半導體,由于在物理結構上具有能級禁帶寬的特點,又稱為寬禁帶半導體,主要是以氮化鎵和碳化硅為代表,其在半導體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區別,使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導率、高擊穿場強、高電子飽和漂移速率等優勢,從而能夠開發出更適應高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導體器件,可有效突破傳統硅基功率半導體器件及其材料的物理極限。  化學

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    鈮酸鋰晶體怎么拋光?
    鈮酸鋰晶體怎么拋光?

     鈮酸鋰晶體拋光,用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO3簡稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應等多種性質的功能材料,是目前公認為光電子時代"光學硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開關、光通訊調制器、二次諧波發生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應用。  鈮酸鋰晶片的加工質量和精度直接影響其器件的性能,因此鈮酸鋰的應用要求晶片表面超光滑、無缺陷、無變質層。目前,有關鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術的研

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    什么是SIC碳化硅襯底的常規雙面磨工藝
    什么是SIC碳化硅襯底的常規雙面磨工藝

    碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層,修復切割產生的變形。由于SiC的高硬度的特性,CM{研磨過程中必須使用高硬度的磨料(如碳化硼或金剛石粉)研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規雙面磨工藝雙面磨工藝又稱DMP工藝,是目前大部分國內碳化硅襯底廠商規?;a的工藝方案,對碳化硅進行雙面研磨(粗磨/精磨)達到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨:采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產生的損傷層,修復面型,

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    研磨液和拋光液在半導體芯片加工中的應用
    研磨液和拋光液在半導體芯片加工中的應用

      磨削和研磨等磨料處理是半導體芯片加工過程中的一項重要工藝,主要是應用化學研磨液混配磨料的方式對半導體表面進行精密加工,但是研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此,保證拋光的一致性、均勻性和外表粗糙度對生產芯片來 說是十分重要的。拋光和研磨在半導體生產中都起到重要性的作用。一、研磨工藝與拋光工藝研磨工藝是運用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒,經過研具與工件在一定壓力下的相對運動對加工件表面進行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料,工件的外形有平面,內、外圓柱面和圓錐面,凸、凹球面,螺紋,齒面及其他型

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    碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些?
    碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些?

      襯底是所有半導體芯片的底層材料,起到物理支撐、導熱、導電等作用。有數據顯示,襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%,外延片占25%,器件晶圓制造環節20%,封裝測試環節5%。  SiC碳化硅襯底不止貴生產工藝還復雜,與Si硅片相比,SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過程包括單晶多線切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿足外延生長的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質,不僅具有高硬度的特點,高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層,且產生較為嚴重的表

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    藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應用
    藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應用

      藍寶石研磨液(又稱為藍寶石拋光液)是用于在藍寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍寶石研磨液由金剛石微粉、復合分散劑和分散介質組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性,在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件表面產生劃傷。金剛石研磨液可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領域的研磨和拋光。  吉致電子藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應用:1.外延片生產前襯底的雙面研磨:用于藍寶石研磨一道或多道工序,根據最終藍寶石襯底研磨要求用6um、3

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    CMP制程中拋光墊的作用有哪些?
    CMP制程中拋光墊的作用有哪些?

      CMP技術是使被拋光材料在化學和機械的共同作用下,材料表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。拋光液中的化學成分與材料表面進行化學反應,形成易拋光的軟化層,拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:①傳遞材料去除所需的機械載荷;②從工件拋光表面除去拋光過程產生的殘留物(如工件碎屑、拋光碎片等);③使拋光液有效均勻分布至整個加工區域,且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環;④維持拋光過程所需的機械和化學環境。除拋光墊的力

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    碳化硅襯底需要CMP嗎
    碳化硅襯底需要CMP嗎

      碳化硅襯底需要CMP嗎?需要碳化硅SIC晶圓生產的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面,同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。  化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現的。碳化硅晶圓置于研磨片上,通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應及物理摩擦中,僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液,以及研

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    碳化硅單晶襯底加工技術---CMP拋光工藝
    碳化硅單晶襯底加工技術---CMP拋光工藝

     碳化硅拋光工藝的實質是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度,Si面在 0. 3 nm 之內,C 面在 0. 5 nm 之內。 根據 GB/T30656-2014,4寸碳化硅單晶襯底加工標準如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋,粗拋為機械拋光,目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機械拋光的關鍵研究方向在于優化工藝參數,改善晶片表面粗糙度,提高材料去除率。  目前,關于碳化硅晶片雙面拋光的報道較少,相關工藝

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    國際第三代半導體年度盛會--吉致電子半導體拋光耗材受關注
    國際第三代半導體年度盛會--吉致電子半導體拋光耗材受關注

      吉致電子受邀出席第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)暨第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA),斬獲大會頒發的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發,是為發展第三代半導體和半導體照明產業所屬領域的優秀企業和優勢品牌所創立,獲得該獎項是對吉致電子在半導體照明產業領域出色表現的高度認可。  后摩爾時代,發展正當時的第三代半導體產業迎來發展機遇。半導體業繼往開來進入新的發展階段,論壇期間氛圍熱烈,學術報告、行業

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    氮化鋁/氮化硅(AlN/SiN)陶瓷基板的研磨拋光
    氮化鋁/氮化硅(AlN/SiN)陶瓷基板的研磨拋光

      氮化鋁/氮化硅(AlN/SiN)陶瓷基板的研磨拋光,需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來研磨快速去除表面缺陷和不良,精細拋光液用來平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專用研磨液/拋光液能減少研磨時間,同時提高陶瓷工件拋光的質量,幫助客戶縮短工時提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過程一般包括雙面研磨(35-60分鐘)和精細拋光(120分鐘)。在不到2.5小時的時間里,得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案:①雙面研磨(35-60分鐘)搭配吉致電子類多晶研磨液 ②超精細拋

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    吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液
    吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

      吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高,金剛石粒徑均勻,懸浮液分散充分。其特點是不結晶、不團聚,磨削力強,拋光效果好??梢詽M足高硬度材料、精密的微小元器件、高質量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優質金剛石微粉,結合吉致專利配方工藝,調配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實際使用中工件研磨速率穩定,材料去除率高

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    圣誕儀式感拉滿,吉致電子祝您幸福平安!
    圣誕儀式感拉滿,吉致電子祝您幸福平安!

    吉致電子科技“拍了拍你”!嗨,親愛的吉致伙伴們:May you have the best Christmas ever愿你度過最美好的圣誕節!MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂。祝大家:平安喜樂,萬事順遂。“誕”愿有你,一“鹿”前行,愿大家永遠開心快樂,希望快樂不止圣誕!

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    CMP化學機械拋光在半導體領域的重要作用
    CMP化學機械拋光在半導體領域的重要作用

      化學機械拋光(CMP)是半導體晶圓制造的關鍵步驟,這項工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整,達到半導體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術的關鍵耗材,分別占CMP耗材49%和33%的價值量,CMP耗材品質直接影響拋光效果,對提高晶圓制造質量至關重要。  CMP拋光液/墊技術壁壘較高,高品質的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環節。&nbs

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    吉致電子應邀出席半導體國際論壇并斬獲獎牌
    吉致電子應邀出席半導體國際論壇并斬獲獎牌

      2023年11月28日第九屆國際第三代半導體論壇(IFWS)暨第二十屆中國國際半導體照明論壇(SSLCHINA)在廈門開幕。IFWS&SSLCHINA是中國地區舉辦的、專業性最強、影響力最大的第三代半導體領域國際性年度盛會,也是規模最大、規格最高的第三代半導體全產業鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會,斬獲大會頒發的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發,是為發展第三代半導體和半導體照明產業所屬領域的優秀企業和優勢品牌所創立,

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    金屬鉬片的CMP拋光工藝
    金屬鉬片的CMP拋光工藝

      工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝,粗磨的合格率僅在85%左右,整體平行度不良居多,造成產品合格率下降,也造成后續加工難度,這與金屬鉬的特性有關,目前鉬片采用CMP拋光工藝(拋光液+拋光墊)能達到鏡面效果。  鉬的特點:鉬是一種難溶金屬,具有很多優良的物力化學和機械性能。由于原子間結合力極強,所以在常溫和高溫下強度均非常高。它的膨脹系數低,導電率大,導熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應,僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中,對大多數液態金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當穩定。&

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