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        藍寶石晶圓研磨拋光

        文章出處:責任編輯:人氣:-發表時間:2022-12-28 13:57【

          藍寶石晶片拋光的目的是將襯底的最終厚度減小到所需的目標值,具有優于+/- 2μm的TTV和小于2nm的表面粗糙度。這些操作要求需要具有高精度,高效率和高穩定性的機器和工藝,使用吉致電子藍寶石拋光液拋光墊進行CMP研磨拋光即可實現這一過程。

          通過使用CMP拋光工藝,藍寶石工件可以達到理想的表面粗糙度。每個拋光的藍寶石晶片在加工過程中都會有均勻一致的材料去除,并且表面光潔度始終如一。通過改變壓力負載,可以實現每小時1-2μm的材料去除率(MRR)。

          藍寶石晶片拋光分為A向拋光和C向拋光。從藍寶石的晶面屬性來看,A向晶面的硬度高于C向晶面的硬度。而手機屏面屬于A向藍寶石晶面,其拋光難度最高。藍寶石A向拋光一般分為研磨、銅拋和精拋三個階段。研磨工段的作用在于,降低藍寶石原料片切削過程產生的表面階梯性劃痕深度,更主要的是使批量藍寶石原料片的厚度盡量達到一致。

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