Chemical Mechanical Plamarization化學機械平坦化工藝，應用于各種集成電路及半導體行業等減薄與平坦化加工。

  CMP工藝融合了化學研磨和物理研磨的過程，而單一的化學或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優點，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學機械作用，在保證材料去除效率的同時，得到準確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實現納米級甚至原子級的表面粗糙度，同時還能保證較小的表面損失程度。 基于簡單的物理和化學原理過程，CMP工藝就能得到精準和穩定的微觀工藝結果，因此它已經成為集成電路制造工藝流程中一種最廣泛采用且不斷擴張應用領域的技術。

  CMP工藝的獨特之處是可以通過不同拋光液和拋光墊組合來滿足不同工件的拋磨工藝。根據對象的不同，CMP工藝主要分為硅拋光（Poly CMP)、硅氧化物拋光(Silicon Oxide CMP)、碳化硅拋光 ( Silicon Carbide CMP)、鎢拋光（W CMP）和銅拋光 (Cu CMP)。

  CMP拋光液參與到制造和TSV封裝微芯片的各個階段，從而去除平坦化晶片前表面上的多余材料，或者為添加下一層電路功能創建一個完美的平坦基礎，以保證晶片表面完全平坦化。

  吉致電子25年拋光液研發經驗，為各行業客戶提供材料表面加工及研磨拋光解決方案，主營:碳化硅晶片研磨液、鉬拋光液、硅片拋光液、藍寶石拋光液、金剛石研磨液、氧化鋁精拋液、半導體材料、光學材料拋光液、紅外球罩拋光、金屬材料鏡面拋光。積極融入國產slurry替代大局中，與國內主流的晶圓制造廠商均有深度合作，研發定制化的CMP產品逐步打破壁壘。

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